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1N5817


SI Schottky Diode
GFX
UR 20V
IF 1A
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TJ 125°C
the 1N5817 is a silicon schottky diode, U = 20V, I = 1A
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5817
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-204AL
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SI Schottky Diode
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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UR 20V
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TJ 150°C
the 1N5817 is a silicon schottky diode preferred for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, polarity protection and small battery chargers
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SGS Thomson Microelectronics
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UF / IF <0.45V/1A
TJ 175°C
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Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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