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1N5712


SI Schottky Diode
GFX
UR 20V
IF 35mA
Ptot 0.43W
- -
- -
TJ 200°C
the 1N5712 is a silicon schottky diode primarily intended for high level UHF/VHF detection and pulse application with broad dynamic range
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 1N5712
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-35
1N5712 Datenblatt (jpg):-
1N5712 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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