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10MWJ2CZ47


si schottky diodo
GFX
UR 90V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
the 10MWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 90V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Foto: -
fonte: Toshiba Rectifier 1994
Informazioni aggiuntive per 10MWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
copertura: 12-10C1A
scheda tecnica (jpg):-
scheda tecnica (pdf):-
OEM scheda tecnica:-
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10MWJ2CZ47


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- -
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TJ 125°C
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Foto: -
fonte: Toshiba Rectifier 1994
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OEM:Toshiba Toky... [piú]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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- -
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the 10MWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 90V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Foto: -
fonte: Toshiba Rectifier 1994
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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