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10MWJ2CZ47


si schottky diode
GFX
UR 90V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
the 10MWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 90V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Foto: -
Fuente: Toshiba Rectifier 1994
Información avanzada para 10MWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: 12-10C1A
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
Búsqueda de tipo similar:-
buscar una parte:buscar

10MWJ2CZ47


si schottky diode
GFX
UR 90V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
the 10MWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 90V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Foto: -
Fuente: Toshiba Rectifier 1994
Información avanzada para 10MWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: 12-10C1A
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GFX
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IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.81V/4A
TJ 125°C
the 10MWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 90V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Foto: -
Fuente: Toshiba Rectifier 1994
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OEM:Toshiba Toky... [más]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Paquete: 12-10C1A
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OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:
-
Lista de tipos similares:
-
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