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10JWJ2CZ47


SI Schottky Diode
GFX
UR 60V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.58V/4A
TJ 125°C
the 10JWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 60V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 10JWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
10JWJ2CZ47 Datenblatt (jpg):-
10JWJ2CZ47 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

10JWJ2CZ47


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GFX
UR 60V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.58V/4A
TJ 125°C
the 10JWJ2CZ47 is a silicon schottky barrier diode, U = 60V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 10JWJ2CZ47
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
10JWJ2CZ47 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:
-
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Bauteilsuche:Suche

10JWJ2CZ47


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GFX
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IF 10A
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UF / IF <0.58V/4A
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Quelle: Toshiba Rectifier 1994
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