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10GWJ2CZ47C


SI Schottky Diode
GFX
UR 40V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.55V/5A
TJ 125°C
the 10GWJ2CZ47C is a silicon schottky barrier diode, U = 40V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
Erweiterte Informationen zu 10GWJ2CZ47C
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

10GWJ2CZ47C


SI Schottky Diode
GFX
UR 40V
IF 10A
- -
- -
UF / IF <0.55V/5A
TJ 125°C
the 10GWJ2CZ47C is a silicon schottky barrier diode, U = 40V, I = 10A, applications: SMPS, dual-diode
Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
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OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: 12-10C1A
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
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-
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Bauteilsuche:Suche

10GWJ2CZ47C


SI Schottky Diode
GFX
UR 40V
IF 10A
- -
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UF / IF <0.55V/5A
TJ 125°C
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Photo: -
Quelle: Toshiba Rectifier 1994
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-
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-
Suchmaske Vergleichstyp:-
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