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BYV28-100


SI Diode
GFX
UR 100V
IF 3.5A
- -
trr 25nS
UF / IF <0.8V/3.5A
TJ 175°C
the BYV28-100 is a fast avalanche diode (soft recovery), capable of absorbing reverse transient energy (eg. during flashover in a picture tube).
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV28-100
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD64
BYV28-100 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV28-100 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV28-100


SI Diode
GFX
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IF 3.5A
- -
trr 25nS
UF / IF <0.8V/3.5A
TJ 175°C
the BYV28-100 is a fast avalanche diode (soft recovery), capable of absorbing reverse transient energy (eg. during flashover in a picture tube).
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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UR 100V
IF 3.5A
- -
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UF / IF <1.1V/3.5A
TJ 175°C
the BYV28-100 is a silicon diode, U = 100V, I = 3.5A, applications: fast rectifier
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu BYV28-100
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: G4
BYV28-100 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV28-100 Datenblatt (pdf):verfügbar
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